R6000ENHTB1
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | R6000ENHTB1 |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | 600V 0.5A, SOP8, LOW-NOISE POWER |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.90 |
10+ | $0.805 |
100+ | $0.6279 |
500+ | $0.5187 |
1000+ | $0.4095 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8Ohm @ 200mA, 10V |
Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 45 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 500mA (Ta) |
Grundproduktnummer | R6000 |
DIODE GEN PURP 6KV 200MA DO15
R6001 HALOGEN FREE, 4" X 360' 1/
DIODE GP 600V 250A DO205AB DO9
THERMO-HYGROMETER
DIODE GP 1.2KV 250A DO205AB DO9
DIODE GP 600V 300A DO205AB DO9
DIODE GP 200V 300A DO205AB DO9
DIODE GP 400V 300A DO205AB DO9
DIODE GP 2.6KV 300A DO205AB
THERMO-HYGROMETER W/RH STANDARDS
DIODE GP 400V 250A DO205AB DO9
DIODE GP 1KV 250A DO205AB DO9
TEMP AND HUMIDITY MONITOR
DIODE GP 800V 250A DO205AB DO9
DIODE GP 800V 300A DO205AB DO9
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() R6000ENHTB1Rohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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